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SSM3J56MFV,L3F

  • 廠家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封裝：VESM
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：8,000 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：0.542
  • 類型：FET - 單
  • PDF：SSM3J56MFV,L3F

SSM3J56MFV,L3F

  • 包裝

    帶卷 （TR） 可替代的包裝

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET P 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平柵極，1.2V 驅(qū)動(dòng)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    20V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    800mA （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    390毫歐 @ 800mA， 4.5V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    -

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    -

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    100pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    150mW

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    SOT-723

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    MOSF P CH 20V 800MA VESM

  • 產(chǎn)品描述備注