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IRFS31N20DPBF
管件 可替代的包裝
HEXFET?
MOSFET N 通道,金屬氧化物
標(biāo)準(zhǔn)
200V
31A (Tc)
82 毫歐 @ 18A,10V
5.5V @ 250μA
107nC @ 10V
2370pF @ 25V
3.1W
表面貼裝
TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK