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IRF7473TRPBF
帶卷 (TR) 可替代的包裝
HEXFET?
MOSFET N 通道,金屬氧化物
標(biāo)準(zhǔn)
100V
6.9A (Ta)
26 毫歐 @ 4.1A,10V
5.5V @ 250μA
61nC @ 10V
3180pF @ 25V
2.5W
表面貼裝
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC