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IRF3808STRLPBF
帶卷 (TR) 可替代的包裝
HEXFET?
MOSFET N 通道,金屬氧化物
標(biāo)準(zhǔn)
75V
106A (Tc)
7 毫歐 @ 82A,10V
4V @ 250μA
220nC @ 10V
5310pF @ 25V
200W
表面貼裝
TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK