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IPD50R1K4CE

  • 廠家：Infineon Technologies
  • 封裝：PG-TO-252
  • 批號：--
  • 數(shù)量：2,500 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：2.841
  • 類型：FET - 單
  • PDF：IPD50R1K4CE

IPD50R1K4CE

  • 包裝

    帶卷 （TR） 可替代的包裝

  • 系列

    CoolMOS? CE

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    500V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    3.1A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    1.4 歐姆 @ 900mA， 13V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    3.5V @ 70μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    1nC @ 10V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    178pF @ 100V

  • 功率 - 最大值

    25W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSF N CH 500V 3.1A PG-TO-252

  • 產(chǎn)品描述備注