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IPB65R190C6

  • 廠家：Infineon Technologies
  • 封裝：PG-TO263
  • 批號：--
  • 數(shù)量：1,000 - 立即發(fā)貨
  • 價格：12.815
  • 類型：FET - 單
  • PDF：IPB65R190C6

IPB65R190C6

  • 包裝

    帶卷 （TR） 可替代的包裝

  • 系列

    CoolMOS??

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    650V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    20.2A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    190 毫歐 @ 7.3A，10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    3.5V @ 730μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    73nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    1620pF @ 100V

  • 功率 - 最大值

    151W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263

  • 產(chǎn)品描述備注