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GT60N321(Q)

  • 廠家:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封裝:TO-3P(LH)
  • 批號:--
  • 數(shù)量:電詢
  • 價格:41.621
  • 類型:IGBT - 單路
  • PDF:GT60N321(Q)

GT60N321(Q)

  • 包裝

    管件

  • 系列

    -

  • IGBT 類型

    -

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)

    1000V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值)

    60A

  • Current - Collector Pulsed (Icm)

    120A

  • 不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)

    2.8V @ 15V,60A

  • 功率 - 最大值

    170W

  • Switching Energy

    -

  • 輸入類型

    標準

  • Gate Charge

    -

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值

    330ns/700ns

  • Test Condition

    -

  • 反向恢復時間 (trr)

    2.5μs

  • 封裝/外殼

    TO-3PL

  • 安裝類型

    通孔

  • 產(chǎn)品簡介說明

    IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

  • 產(chǎn)品描述備注