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FDV303N
帶卷 (TR) 可替代的包裝
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MOSFET N 通道,金屬氧化物
邏輯電平門
25V
680mA (Ta)
450 毫歐 @ 500mA,4.5V
1.5V @ 250μA
2.3nC @ 4.5V
50pF @ 10V
350mW
表面貼裝
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23