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DMN2112SN-7
帶卷 (TR) 可替代的包裝
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MOSFET N 通道,金屬氧化物
邏輯電平門
20V
1.2A (Ta)
100 毫歐 @ 500mA,4.5V
1.2V @ 1mA
220pF @ 10V
500mW
表面貼裝
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3